www.mexanik.ru

ПРЕДИСЛОВИЕ

Настоящая книга написана на основе курсов лекций «Физика полупроводников» и «Экспериментальные методы исследования полупроводников», которые автор читает в Московском институте тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова в течение двадцати лет.

Общение с технологами убедило автора в необходимости создания учебного пособия по физике полупроводников, в котором бы четко прослеживалась связь свойств полупроводникового материала с характером и концентрацией дефектов в кристаллах. Понимание различных аспектов такой связи необходимо в практической деятельности тех инженеров, которые на основании изучения свойств судят о чистоте и совершенстве кристаллов, и тех, для которых знание свойств позволяет правильно применять полупроводниковый материал в приборах.

Подобная книга является синтезом сведений из различных, иногда далеких друг от друга наук — общей физики и квантовой механики, термодинамики, химии и физической химии, радиотехники и электроники. Разумное сочетание всех этих сведений в одном учебном пособии весьма затруднительно. Однако автор пытался в какой-то степени преодолеть эти трудности в первом издании настоящего учебного пособия. Многочисленные отклики ученых и официальные рецензии, появившиеся в периодической печати, показали, что общая структура книги (объемы разделов и связь между ними) представляет интерес.

Со времени выхода в свет первого издания этого учебного пособия (1975) в полупроводниковой технике произошли значительные изменения. Главные из них — более широкое распространение эпитаксиальной технологии, появление принципиально новых технологических приемов (ионная имплантация, молекулярная эпитаксия, лазерное легирование), расширение использования многокомпонентных твердых растворов и гетероструктур на их основе, достижение сверхвысокой компенсации в кристаллах для фотоэлектроники. В области практического применения полупроводников также появились новые направления, например использование аморфного кремния для солнечной энергетики, создание дискретных оптронов и интегральных схем оптического диапазона, приборов с зарядовой связью, новых типов полупроводниковых датчиков.

Все это потребовало и некоторых изменений в преподавании физики полупроводников — увеличения объема одних и углубления содержания других разделов, введения новых разделов, таких, как магнитные явления в полупроводниках, явления в неупорядоченных системах, в частности в аморфныч полупроводниках, и др. Потребовался также пересмотр методики изложения некоторых вопросов, чтобы не допустить сильного увеличения объема курса физики полупроводников. В связи со всем перечисленным второе издание учебного пособия значительно переработано. В нем также учтены пожелания, высказанные в рецензиях на первое издание.

Изложение, как и в первом издании, построено так, что его связность не нарушается при опускании разделов, напечатанных пегитом, содержащих математические выводы, данные разъясняющего характера и контрольные вопросы. Некоторые главы сопровождаются задачами, прототипом которых послужили встречающиеся в практической инженерной деятельности.

Большую пользу принесли советы и замечания проф. З. И. Кирьяшкиной и коллектива возглавляемой ею кафедры физики твердого тела Саратовского государственного университета, рецензировавшего рукопись.

Неоценимую помощь в работе над книгой оказал М. В. Фистуль.

Отзывы о книге направлять по адресу: 101430, Москва, ГСП-4, Неглинная ул., 29/14, издательство «Высшая школа».

Автор

Назад, на страницу описания