www.mexanik.ru

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

А
Адиабатическое приближение
Акцепторы
Аморфные полупроводники
Ангармоничность колебаний
Антизапирающий слой

Б
База транзистора
Барьер потенциальный
Батарея солнечная
Блоха функция
Бозе—Эйнштейна распределение
Болометр полупроводниковый
Больцмана распределение
Больцмана уравнение
Бора магнетон
Боровский радиус
Бриллюена зоны
Брукса—Херринга формула
Бугера—Ламперта закон
Буршгейновскии сдвиг

В
Валентная зона
Вандер-Пауве метод
Варикап
Вектор обратной решетки
Вертикальный переход
Вероятность захвата
— перехода оптического
— рассеяния
Видемана—Франца закон
Виртуальные состояния
Волновая функция электрона
Волновой вектор электрона
— фонона
Вольт-амперная характеристика
Время физики носителей заряда
— — — — неосновных
— — — — при большом уровне инжекции
— — — — излучательное
Воемя релаксации
— — при рассеянии на акустических фононах
— — при рассеянии на ионах примеси
— — при рассеянии на нейтральных примесях
— — при рассеянии на полярных колебаниях
Выпрямление
Вырождение спиновое
— ферм невское

Г
Ганна эффект
Генератор термоэлектрический
Германий
Генерация носителей
Гетеропереход
Гиббса распределение
Глубокие уровни
Горячие носители
Групповая скорость электронов

Д
Дебая температура
Дембера эффект
Дефекты решетки
— — ассоциированные
— — линейные
— — объемные
— — плоские
— — точечные
Дислокации
Диод импульсный
— силовой
— обращенный
— туннельный
Диффузионная длина
Длина свободного пробега электронов
— — — фононов
Доноры
Дырка

Е
Емкость р-n-перехода
— — — диффузионная

Ж
Жидкие полупроводники

З
Запирающий слой
Закон Ома, отклонения
Затвор полевого транзистора
Зеебека эффект
Зеемановское расщепление
Зона валентная
— дислокационная
— запрещенная
— проводимости
Зонная структура

И
Излучательная рекомбинация
Излучение лазерное
Измерение параметров
— времени жизни
— концентрации носителей
— коэффициента оптического поглощения
— коэффициента Холла
Импульс фонона
Индексы Миллера
Инжекция носителей
Интегралы Ферми
Интегральная микросхема
Ионизация термоэлектрическая
— ударная
Исток полевого транзистора
Истощение уровней

К
Катодолюминесценция
Квазиимпульс фонона
— электрона
Кикоина—Носкова фотомагнитный эффект
Кинетические явления
Колебания атомов решетки
— — — акустические
— — — оптические
— — — поперечные
— — — продольные
Коллектор
Компенсация
Конвел—Вайскопфа формула
Контакт металл—полупроводник
Контактная разность потенциалов
Контактные явления
Концентрация носителей заряда
Коэффициент выпрямления
— кинетический
— магнитосопротивления
— Нернста—Эттингсгаузена
— термо-э.д.с.
— ударной ионизации
— Холла
Край оптического поглощения
Кронига—Пени модель

Л
Лазер полупроводниковый
Ландау уровни
Ланде множитель
Ларморова частота
Лоренца сила
— число
Люминесценция

М
Магнетизм атомов
— электронов
Магнитная восприимчивость
Магнитосопротивление отрицательное
Магнитофононный резонанс
Магнитные полупроводники
Магнитный момент
Малый уровень инжекции
МДП-транзистор
Масса эффективная
Межзонные переходы
Мелкие уровни
Многозарядные уровни

Н
Нелинейная оптика
Непрямой переход
Нернста — Эттингсгаузена эффект
Несимметричный р-n-переход
Неустойчивость токовая

О
Обедненный слой
Обогащенный слой
Обратная решетка
Обратное напряжение
Одноэлектронное приближение
Ожерекомбинация
Оптрон
Отражение света
— — коэффициент
— — спектральная зависимость

П
Пельтье эффект
— коэффициент
Переноса явления
Переход р-п
Поверхностная рекомбинация
— — скорость
Поверхностные уровни
Плотность состояний
— — на дне зоны проводимости
— — у потолка валентной зоны
Поглощение света
— — внутрицентровое
— — примесными центрами
— — свободными носителями
— — собственное
— — электронное
Подвижность электронов
— зависимость от температуры
— — от электрического поля
— — холловская
Подзоны
Полумагнитные полупроводники
Потенциал ионизации
— химический
— химический приведенный
Преломления показатель (коэффициент)
Прилипания эффект
Проводимость
— собственная
— удельная
Процессы переброса
Прямой переход

Р
Работа выхода
Рассеяние фононов
Рассеяние электронов
— — на акустических фононах
— — на ионах примеси
— — на оптических фононах
— — смешанное
Резерфорда формула
Рекомбинационное излучение
Резонанс диамагнитный (циклотронный)
— квадрупольный
— парамагнитный
— ядерный магнитный
Рекомбинация носителей заряда
— — — безызлучательная (фононная)
— — — излучательная
— — — поверхностная
— — — прямая межзонная
— — — ударная
Риги—Ледюка эффект

С
Симметричный р-n-переход
Собственный полупроводник
Соотношение Эйнштейна
Спектр отражения
— поглощения
Сродство электронное
Стабилитрон
Стеклообразные полупроводники
Сток полевого транзистора

Т
Температура Мотта
Теплопроводность
— решеточная
— электронная
Термогенератор
Термохолодильник
Термоэлектрическая добротность
Термоэлектрические явления
Термо-э.д.с. коэффициент
Термоэлемент
Транзистор биполярный
— полевой
Томсона коэффициент

У
Удельное сопротивление
— — двухзондовые измерения
—— четырехзондовые измерения
Уровень Ферми
Уровни водородоподобные
— глубокие
— Ландау
— мелкие
— поверхностные
— Тамма

Ф
Фарадея эффект
Ферми—Дирака распределение
Фононы
Фотовольтаические эффекты
Фотолюминесценция
— метастабильная
— мономолекулярная
— примесная
Фотопроводимость
— примесная
— собственная
Фоточувствительность
Фото-э.д.с.
Фотоэлектромагнитный эффект
Франца—Келдыша эффект
Френеля формула
Френкеля вакансии
— экситон
— эффект

Х
Холла коэффициент
— фактор
— э.д.с.
— эффект

Ц
Циклотронный резонанс

Ч
Частота циклотронная

Ш
Шнурование тока
Шокли—Рида модель
— теория
Шоттки вакансии
Шредингера уравнение
Шубникова — де Гааза осцилляция

Э
Экситон
Электролюминесценция
Электронная температура
Электрическая проводимость
— — в сильном электрическом поле
— — отрицательная дифференциальная
Энергия ионизации примесей
Эффективная масса электронов
— — дырок

Я
Явления переноса
Ядерный магнитный резонанс

Назад, на страницу описания