www.mexanik.ru

Александров Л. Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. M.: "Наука", 1978. - 272 с.

В книге рассмотрены физические закономерности процессов, происходящих при образовании и эпитаксиальном росте пленок и обусловливающих появление переходной области у границы подложки с пленкой. Устранение или уменьшение этих областей особенно важно для полупроводниковых пленок в связи с их использованием в микроэлектронных, акустоопти-ческих, лазерных и других устройствах. Теоретически рассмотрен процесс роста пленок на основе статистически-вероятностных и кинетических методик. Последовательно показано влияние кристалла-подложки (несоответствие решеток и упругих модулей, ориентация и обработка поверхности, диффузия примесей), роль ростовых процессов (зародышеобразование, изменение микрорельефа поверхности, распределение примесей, динамика дислокаций), влияние изменении в исходной фазе (нестационарность режимов, автолегирование через газовую или жидкую фазу, изменение условий роста). Отмечаются реальные пути устранения переходных областей в эпитаксиальных структурах и приведены экспериментальные результаты, полученные в ведущих исследовательских центрах в нашей стране и за рубежом.
Монография предназначена для научных работников и инженеров, а также для учащихся вузов и аспирантов, специализирующихся по росту кристаллов и пленок, физике твердого тела, физике полупроводников и полупроводниковой электронике.

 

Просмотр оглавления

Просмотр предисловия

Просмотр отдельных страниц (в виде pdf-файлов):

стр. 50 - 109 Кб стр. 100 - 63 Кб
стр. 150 - 98 Кб стр. 200 - 88 Кб

Если у Вас медленный доступ в Интернет - выделите страницу правой кнопкой мыши и затем выберите из меню "Сохранить объект, как..." для того, чтобы видеть процесс сохранения страницы. Затем этот файл можно просмотреть программой Acrobat Reader.

Назад, к списку книг Назад, на главную страницу