www.mexanik.ru

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие

Глава I. Эпитаксиальные пленки полупроводников и переходные области

1. Неоднородность эпитаксиальных пленок по толщине, переходная область и размерные эффекты
2. Эпитаксиальные пленки германия, методы их получения и свойства
3. Эпитаксиальные пленки арсенида галлия, методы их получения и свойства
4. Новые пленочные полупроводниковые материалы микроэлектроники
5. Пленки поликристаллического кремния в приборах микроэлектроники

Глава II. Общие закономерности образования роста эпитаксиальных пленок и переходной области

1. Термодинамическое и кинетическое рассмотрения эпитаксиального роста полупроводниковых пленок
2. Статистическая теория начальной стадии кристаллизации
3. Кинетика начальной стадии слоевого эпитаксиального роста пленок и образование переходной области
4. Влияние ориентации поверхности подложки на эффективную скорость роста эпитаксиальной пленки и образование переходного слоя
5. Моделирование роста эпитаксиальных пленок полупроводников на ЭЦВМ
6. Взаимодействие винтовых дислокаций с межфазными границами в структуре подложка — пленка — переходная область
7. Механизм роста пленок в методе жидкофазной эпитаксии

Глава III. Образование переходной области при определяющем действии подложки

1. Подготовка поверхности подложки для эпитаксиального осаждения пленок
2. Действие подложки при гетероэпитаксиальном осаждении пленок
3. Диффузия примесей из подложки в пленку
4. Влияние изменения свойств подложки при нагреве

Глава IV. Образование переходной области при росте пленок

1 Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок
2. Распределение примесей и структурных дефектов при росте пленок
3. Гомоэпитаксиальный рост пленок атомарночистой поверхности
4. Гетероэпитаксиальный рост пленок кремния и германия
5. Образование переходной области при тетероэпитаксиальном росте пленок сульфида кадмия

Глава V. Образование переходной области при изменении состояния исходной фазы

1. Образование переходной области при изменениях в разовой фазе
2. Образование переходной области при изменениях в вакууме или в жидкой фазе

Глава VI. Пути уменьшения переходной области в эпитаксиальных структурах


Литература

Назад, на страницу описания