www.mexanik.ru

ПРЕДИСЛОВИЕ К ПЕРВОМУ ИЗДАНИЮ

В предлагаемой книге американских специалистов по микроэлектронике Р. Маллера и Т. Кейминса рассматриваются основы технологии изготовления кремниевых ИС, процессы, происходящие в контактах металл — полупроводник и электронно-дырочных переходах (рn-переходах), а также свойства и математические модели основных элементов ИС: резисторов, диодов, биполярных транзисторов и МОП-транзисторов. Все эти вопросы играют важную роль в теории и практике разработки, изгoтовления и применения ИС и составляют основу одного из главных направлений современной полупроводниковой микроэлектроники.

В зарубежной и отечественной научно-технической периодике имеется большое число публикаций по указанной выше тематике, однако монографическая литература по данному направлению довольно скудна. Ряд книг и обзоров посвящен разработке, свойствам и особенностям применения кремниевых цифровых и аналоговых ИС, однако до сих пор нет изданий, специально ориентированных на всестороннее рассмотрение свойств полупроводниковых приборов, используемых в качестве элементов ИС. В настоящей книге излагаются общие вопросы, связанные с основами полупроводниковой технологии и с физическими процессами в контактах металл — полупроводник и в рn-переходах, а также рассмотрены основные характеристики и свойства биполярных и МОП-транзисторов. Одновременно авторы затрагивают большое число специфических вопросов, относящихся к кремниевым диодам и транзисторам, выполняющим функции элементов ИС. Такого комплексного и всеобъемлющего подхода читатель не найдет ни в одной из книг по данной тематике. В то же время в отличие от других изданий, посвященных ИС и их элементам, здесь не рассматриваются вопросы взаимодействия между элементами ИС.

Из отечественных и переведенных на русский язык зарубежных монографий к данной книге наиболее близка двухтомная монография С. Зи «Физика полупроводниковых приборов» (М.: Мир, 1984), в которой также рассматриваются физические основы работы различных типов полупроводниковых приборов, анализируются их характеристики и протекающие в них процессы, но не затронуты особенности полупроводниковых приборов, характерные для их работы в качестве элементов ИС. В книге Р. Маллера и Т. Кейминса выполнен подробный анализ таких особенностей. Авторы рассматривают многие приборы, специфичные именно для монолитных кремниевых ИС: интегральные резисторы с изолирующим pn-переходом, диоды Шотки, pnp-транзисторы с горизонтальной структурой, npn-транзисторы с изоляцией окислом, паразитные транзисторные структуры различных видов и комплементарные МОП-структуры. Кроме того, значительное внимание уделено анализу и описанию различных моделей элементов ИС, используемых при автоматизированном моделировании и проектировании схем.

Наконец, еще одна чрезвычайно ценная особенность данной книги — высокая наглядность и относительная простота изложения материала, которые достигаются практически без ущерба для глубины анализа. Авторы приводят множество практических примеров полупроводниковых структур, используемых в качестве элементов ИС. Рассмотрена связь между физико-технологическими и электрическими параметрами приборов. Каждая глава снабжена набором задач, практически связанных с проблемами разработки ИС. К некоторым задачам в конце книги приведены ответы, а решения ряда задач даются прямо в тексте.

Все это позволяет использовать книгу в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и значительно расширяет круг ее возможных читателей. Книга представляет интерес для специалистов, занимающихся разработкой, изготовлением и применением ИС, а также для студентов старших курсов и аспирантов ряда микроэлектронных и полупроводниковых специальностей.

Е. З. Мазель, Л. С. Ходош

Назад, на страницу описания