Крутякова М. Г., Чарыков Н. А., Юдин В. В.
Полупроводниковые приборы и основы их проектирования: Учебник для техникумов. М.: Радио и связь, 1983. — 352 с., ил.

Изложены физические основы действия р—п переходов и полупроводниковых приборов диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, термочувствительных, термоэлектрических и оптоэлектронных приборов, а также приборов, основанных на эффектах сильного поля. Описаны конструктивно-технологические особенности и основные характеристики полупроводниковых приборов. Приведены примеры расчетов параметров и характеристик основных типов полупроводниковых приборов. Отдельная глава посвящена основам микроэлектроники.

Для учащихся средних специальных учебных заведений, обучающихся по специальностям «Производство полупроводниковых приборов» и «Производство электровакуумных приборов».

 

Просмотр оглавления

Просмотр предисловия

Просмотр введения

Просмотр отдельных страниц (в виде pdf-файлов):

стр. 50 - 238 Кб стр. 100 - 146 Кб стр. 150 - 187 Кб стр. 200 - 202 Кб
стр. 250 - 174 Кб стр. 300 - 235 Кб стр. 350 - 194 Кб

Если у Вас медленный доступ в Интернет - выделите страницу правой кнопкой мыши и затем выберите из меню "Сохранить объект, как..." для того, чтобы видеть процесс сохранения страницы. Затем этот файл можно просмотреть программой Acrobat Reader.

Назад, к списку книг Назад, на главную страницу