www.mexanik.ru

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие
Введение

Глава 1. Электрофизические свойства полупроводников и элементы технологии изготовления полупроводниковых приборов
1.1.Зонная структура полупроводников
1.2.Злектропроводность полупроводников
1.3.Разновидности электрических переходов в полупроводниках
1.4. Методы получения полупроводниковых структур
Контрольные вопросы и задачи
Глава 2. Физические основы p—n перехода
2.1.Электронно-дырочный переход в состоянии термодинамического равновесия
2.2. Контактная разность потенциалов резкого р—п перехода. Энергетическая диаграмма р—п перехода
2.3.Ширина области пространственного заряда резкого р—п перехода
2.4.Барьерная емкость резкого р—п перехода
2.5.Ширина области пространственного заряда и барьерная емкость отданного р—п перехода
2.6. Граничные условия для концентрации неосновных носителей заряда в ОПЗ р—п перехода
2.7.Вольт-амперная характеристика р—п перехода
2.8.Сопротивление базы р—п перехода
2.9.Влияние генерации и рекомбинации носителей заряда в ОПЗ на вольт-амперную харакристику р—п перехода
2.10. Влияние поверхности полупроводника на вольт-амперную характеристику р—п перехода
2.11.Лавинный пробой р—п перехода
2.12.Особенности реального лавинного пробоя р—п перехода
2.13. Туннельный пробой р—п перехода
2.14.Тепловой пробой р—п перехода
2.15.Переходные процессы в р—п переходе
2.16. Частотные свойства р—п перехода. Эквивалентные схемы диода
2.17. Зависимость параметров и характеристик р—п перехода от температуры
2.18.Омический переход
Контрольные вопросы и задачи
Глава 3. Полупроводниковые диоды
3.1. Области применения диодов
3.2.Выпрямительные германиевые и кремниевые диоды
3.3. Диоды СВЧ диапазона
3.4.Импульсные диоды
3.5.Варикапы
3.6.Туннельные диоды
3.7. Светоизлучающие диоды и инжекционные лазеры
3.8.Двухбазовые диоды
3.9.Расчеты структуры и электрических параметров полупроводниковых диодов
Контрольные вопросы и задачи
Глава 4. Биполярные транзисторы. Принцип действия и физические параметры
4.1. Основные определения и классификация биполярных транзисторов
4.2.Принцип действия биполярного транзистора
4.3.Энергетическая диаграмма биполярного транзистора
4.4.Основные допущения идеализированной теории биполярного транзистора
4.5. Концентрации и токи неосновных носителей заряда в базе транзистора
4.6.Эквивалентная схема транзистора для большого сигнала
4.7. Расчет коэффициентов передачи тока в транзисторе
4.8. Обратные токи транзистора
4.9. Сопротивление базы транзистора. Эффект оттеснения тока эмиттера
4.10.Эквивалентная схема транзистора для малого сигнала
4.11. Емкости эмиттерного и коллекторного р—п переходов
4.12. Частотные свойства биполярного транзистора
4.13.Дрейфовые транзисторы
4.14. Шумы в биполярных транзисторах
Контрольные вопросы и задачи
Глава 5. Схемы включения и режимы работы биполярного транзистора
5.1.Три схемы включения транзистора
5.2.Статические характеристики транзистора
5.3.Система h-параметров транзистора
5.4. Импульсные свойства транзистора при малом сигнале
5.5.Импульсный режим работы транзистора при большом сигнале
5.6. Особенности работы транзистора в режиме больших токов
5.7.Зависимость малосигнальных параметров транзистора от режима и температуры
5.8.Обеспечение теплоотвода в транзисторах
Контрольные вопросы и задачи
Глава 6. Типы биполярных транзисторов и примеры расчета
6.1.Маломощные НЧ и ВЧ транзисторы.
6.2. Малошумящие ВЧ и СВЧ транзисторы
6.3.Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы
6.4.Расчет бездрейфового биполярного транзистора
6.5.Расчет дрейфового планарно-эпитаксиального п—р—п-транзистора
Контрольные вопросы и задачи
Глава 7. Тиристоры
7.1. Основные понятия и классификация
7.2.Физические процессы в р—п—р—n структуре
7.3.Вольт-амперная характеристика тиристора
7.4. Основные параметры тиристоров
7.5.Особенности конструирования тиристоров
7.6.Расчет основных параметров тиристоров
Контрольные вопросы и задачи
Глава 8. Полевые транзисторы
8.1.Полевые транзисторы с управляющим р—п переходом
8.2.Полевые транзисторы с переходом Шотки
8.3.Полевые транзисторы с изолированным затвором
8.4. Конструктивные разновидности и применение МДП-транзисторов
8.5.Приборы с зарядовой связью
8.6.Расчеты полевых транзисторов
Контрольные вопросы и задачи
Глава 9. Приборы, основанные на эффекте сильного поля
9.1.Варисторы
9.2.Стабилитроны
9.3.Лавинные транзисторы
9.4.Лавинно-пролетные диоды
9.5.Диоды Ганна
Контрольные вопросы и задачи
Глава 10.Термоэлектрические и термочувствительные полупроводниковые приборы
10.1.Термоэлектрические холодильники и нагреватели
10.2. Термоэлектрогенераторы
10.3.Терморезисторы
10.4. Полупроводниковые болометры
Контрольные вопросы и задачи
Глава 11. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы
11.1.Поглощение оптического излучения в полупроводниках
11.2. Фоторезисторы
11.3. Фотодиоды
11.4. Полупроводниковые фотоэлементы
11.5.Фототранзисторы
11.6.Фототиристоры.
11.7. Расчет фоторезистора
Контрольные вопросы и задачи
Глава 12. Основы микроэлектроники
12.1. Микроэлектроника и интегральные микросхемы
12.2. Изоляция элементов полупроводниковых ИС
12.3. Элементы полупроводниковых ИС
12.4.Принципы проектирования топологии ИС
12.5.Функциональная интеграция
12.6.Тонкопленочные элементы совмещенных и гибридных ИС
12.7. Особенности гибридных ИС
12.8. МДП-микросхемы
Контрольные вопросы и задачи
Заключение. Тенденции и перспективные направления полупроводниковой электроники.
Приложение 1. Физические постоянные
Приложение 2. Математические выражения, используемые при расчетах полупроводниковых приборов
Приложение 3. Значения гиперболических функций
Приложение 4. Система условных обозначений полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Приложение 5. Эмпирическая формула для подвижности носителей заряда
Приложение 6. Условные обозначения полупроводниковых приборов в схемах
Список литературы

Назад, на страницу описания