Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. Сангвал К. — М.: Мир, 1990. — 492 с., ил.

ISBN 5-03-001315-6

В книге специалиста из ПНР подробно рассматриваются такие вопросы, как химия, теория роста и растворения кристаллов, кристаллография, дефекты и их анализ, теория растворов и др. В частности, проанализированы механизмы зарождения с учетом поверхностной и объемной диффузии, электронного фактора, образование фигур травления и морфология бугорков и ямок. Приведены рекомендации по полирующему и селективному травлению различных материалов.
Для специалистов в области физики твердого тела, физической химии, кристаллографии, металлургии, материаловедения, электроники и в смежных областях, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

 

Просмотр оглавления

Просмотр предисловия

Просмотр предисловия 1

Просмотр предметного указателя

Просмотр отдельных страниц (в виде pdf-файлов):

стр. 50 - 140 Кб стр. 100 - 120 Кб стр. 150 - 52 Кб
стр. 200 - 95 Кб стр. 250 - 98 Кб стр. 300 - 117 Кб
стр. 350 - 36 Кб стр. 400 - 113 Кб стр. 450 - 67 Кб

Если у Вас медленный доступ в Интернет - выделите страницу правой кнопкой мыши и затем выберите из меню "Сохранить объект, как..." для того, чтобы видеть процесс сохранения страницы. Затем этот файл можно просмотреть программой Acrobat Reader.

Назад, к списку книг Назад, на главную страницу