www.mexanik.ru

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие переводчиков
Предисловие к русскому изданию
Предисловие

Глава 1. Дефекты в кристаллах
1.1. Природа поверхности кристалла
1.2. Точечные дефекты и их кластеры
1.3. Дислокации
1.4. Границы между областями различной ориентации
1.5. гомопереходы и двойные гетеропереходы
1.6. Страты роста, границы зерен и дислокационные стенки

Глава 2. Выявление дефектов
2.1. Спирали роста
2.2. Химическое травление
2.3. Термическое травление
2.4. Избирательное окисление
2.5. Избирательная дегидратация и разложение
2.6. Травление ионной бомбардировкой
2.7. Методы, основанные на регистрации ускоренной безызлучательной рекомбинации
2.8. Методы декорирования
2.9. Топографические методы
2.10. Метод фото упругости
2.11. Методы исследования тонких пленок
2.12. Преимущества и недостатки различных методов изучения дефектов

Глава 3. Рост и растворение кристаллов
3.1. Условия образования зародышей роста
3.2. Образование зародышей
3.3. Кинетика роста кристаллов
3.4. Фактор поверхностной энтропии
3.5. Морфология кристаллов
3.6. Формы роста с точки зрения кинетики
3.7. Влияние примесей на кинетику и форму роста
3.8. Упорядоченные примесно-адсорбционные слои и морфодромы роста
3.9. Рост, определяемый переносом массы и тепла
3.10. Рост, определяемый одновременно переносом массы и поверхностными реакциями
3.11. Обратимость роста и растворения
3.12. Шероховатость поверхности при растворении, определяемом диффузией
3.13. Разделительный слой кристалл — раствор
3.14. Анизотропия макроскопической скорости растворения

Глава 4. Теория растворения и формирования ямок травления
4.1. Природа мест возможных ямок травления
4.2. Кинематические теории
4.3. Термодинамические теории
4.4. Диффузионные теории
4.5. Теории топохимической адсорбции
4.6. Анализ современного состояния теории

Глава 5. Химический аспект процесса растворения
5.1. Каталитические реакции
5.2. Этапы растворения
5.3. Типы реакций при растворении
5.4. Образование оксидных слоев
5.5. Растворение водорастворимых кристаллов
5.6. Растворение водонерастворимых ионных кристаллов
5.7. Растворение металлов
5.8. Растворение полупроводников
5.9. Максимумы кривых скорости растворения в зависимости от состава травителя
5.10. Соотношение между скоростью травления и рН раствора

Глава 6. Растворимость кристаллов и комплексов в растворах
6.1. Структура растворителей и растворов
6.2. Сольватация и растворимость
6.3. Растворители для кристаллов и оценка растворимости кристаллов в растворителях, отличных от воды
6.4. Температурная зависимость растворимости
6.5. Зависимость между растворимостью, поверхностной энергией и твердостью кристаллов
6.6. Комплексы в растворе и их структура
6.7. Устойчивость комплексов

Глава 7. Кинетика и механизм растворения: обзор экспериментальных результатов
7.1. Щелочно-галоидные кристаллы
7.2. Другие водорастворимые диэлектрики и изоляторы
7.3. Водонерастворимые диэлектрики и изоляторы
7.4. Металлические кристаллы
7.5. Полупроводники

Глава 8. Типичные случаи образования ямок травления и морфологии травленых поверхностей
8.1. Ямки травления на введенных и ростовых дислокациях
8.2. Различие между краевыми и винтовыми дислокациями
8.3. Положительные и отрицательные дислокации
8.4. Ямки травления на дислокациях с разным вектором Бюргерса
8.5. Влияние наклона дислокаций на морфологию и размер ямок травления
8.6. Образование «клювиков» и туннелей травления
8.7. Ветвление и изгиб дислокаций
8.8. Каналы растворения, дислокационные петли и сетки0
8.9. Геликоидальные дислокации
8.10. Звездообразные ямки химического травления
8.11. Ямки травления на кластерах вакансий и примесей
8.12. Образование бугорков травления пузырьками газа
8.13. Морфология травленых поверхностей и террасирование дислокационных ямок травления

Глава 9. Морфология ямок травления
9.1. Факторы, определяющие морфологию ямки травления
9.2. Морфология ямки травления по Айвзу
9.3. Исследование контура ямок травления с учетом кристаллической структуры
9.4. Ингибирование растворения ступеней отравляющими примесями и продуктами реакции
9.5. Влияние на морфологию ямки травления оптически активных веществ
9.6. Влияние на морфологию ямки травления некоторых других факторов
9.7. Устойчивость комплексов и образование ямок травления

Глава 10. Выбор дислокационных травителей и полирующих растворов
10.1. Диэлектрики и изоляторы
10.2. Кристаллы металлов и полупроводников
10.3. Полирование поверхности
10.4. Надежность травителей
10.5. Травление и обработка после травления

Глава 11. Методы травления в прикладных исследованиях и разработке
11.1. Пластическая деформация
11.2. Разрушение, истирание, скольжение и дислокационное демпфирование
11.3. Выявление дефектов, распределения примеси и микроструктуры
11.4. Подготовка поверхности
11.5. Природа и глубина нарушений поверхности, вызванных механической обработкой
11.6. Ориентация поверхности
11.7. Химическое травление в полупроводниковой промышленности

Приложение
Список обозначений
Литература
Предметный указатель

Назад, на страницу описания