www.mexanik.ru

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Адсорбция
— ингибитора
— ионов
— комплексов
— примеси
Активность электрическая
Анализ состояния теории травления
Анизотропия растворения

Бугорки травления

Вектор Бюргерса
— — дислокации
Ветвление и изгиб дислокаций
Влияние времени травления
— добавления вязких жидкостей
— других факторов
— ингибиторов
— оптических активных веществ
— ориентации
— освещения
— перемешивания
— примесей
— среды травления
— температуры
Волны кинематические
— ударные
Время травления
Выбор дислокационного травителя

Габитус роста
Граница зерен
— когерентная, полукогерентная
— раздела
Грань F, S, К
F

Дефекты в кристаллах
— линейные
Френкеля
Шоттки
Диаграмма полярная
Дислокации
— введенные
— винтовые
— геликоидальные
—, движение
— краевые
— — отрицательные
— — положительные
— ростовые
Диффузия
— объемная
Диэлектрики

Закон Браве— Фриделя
Гесса
Гука
Стокса
Фика
Зародыши двумерные
Зарождение гетерогенное
— гомогенное
— двумерное монозародышевое
— — полизародышевое
Заселенность зародышами

Изготовление полупроводниковых приборов
Изменение свободной энергии
— энтальпии
— энтропии
— — адсорбции
Изотерма адсорбции
Ленгмюра
Темкина
Фрёндлиха
Ингибирование
Ингибиторы

Катализ гетерогенный, гомогенный
Катодолюминесценция
Кинетика растворения
Комплекс
— активированный
— ингибирующий
Контур Бюргерса
Концентрация
— кислоты
— примеси
Кооперативность
Косфера
Коэффициент адсорбции
— активности
Кривая Гиббса— Вульфа— Херринга
Кристалл водорастворимый
— ионный
Косселя
Кристаллы металлические
— полупроводниковые
— щелочно-галоидные

Лиганд

Метод Барта— Хоземанна
Берга— Барретта
— декорирования
Ланга
— наведенного тока
Отье
Странского— Каишева
— фотоупругости
— электронной микроскопии
Методы исследования кристаллов
— топографические
Механизм Кабреры— Вермили
— поверхностных реакций
— электрохимический
Микродефекты
Микропреципитаты
Микротвердость по Виккерсу
Модели воды
— — дислокации
— зарождения— расширения
— растворения
— ямки травления
Модель Джексона
Кабреры
Набарро
Нернста
— объемной диффузии Бартона, Кабреры, Франка
— — — Чернова
— термодинамическая
— ямки травления
Молекуда воды
Морфодромы роста
Морфология ямки травления

Наведенный ток
Надежность травителей
Наклон линии дислокации
— дислокации
— ямки травления

Образование блочных структур
— клина
— ямки травления
Ориентация кристаллографическая
— поверхности

Перегибы на ступенях роста
Переползание дислокаций
Плоскость скольжения
Плотность свободных связей на поверхности
Поверхность Косселя
— шероховатая
Подготовка поверхности
Положение атомов на поверхности
Полупроводники
Поляризация
Постоянная неустойчивости
Маделунга
Потенциал нормальный
— стандартный
— химический
Правила растворимости
Преципитация примеси на дислокации
Примесь отравляющая
Принцип Ле Шателье
Профили травления
— — в многослойных полупроводниках,

Радиус Гука
— зародыша критический
— ионов в вакууме
— кристаллографический
Франка
— эффективный
Размер дислокационной ямки травления
— критический зародыша
— — — ямки
Растворение кристаллов
— металлов
— полупроводников
Растворимость кристаллов
Растворы полирующие
Реакция автокаталитическая
— каталитическая
— на катоде
— экзотермическая, эндотермическая
Решетка кубическая
— цинковой обманки
Рост гомогенный
— ямки травления тангенциальный

Связь водородная
Сетки дислокационные
Скопление дислокаций
Скорость зарождения ямки травления
— ионов
— окисления
— полирования
— растворения
— реакции
— — анодной, катодной
— — тангенциальная
— травления
— — арсенида галлия
— — нитрида кремния
— — оксида кремния
— — кремния
— — германия
Слой разделительный
— электрический двойной
Сольватация
Соотношение Ван дер Путта
Гиббса—Томсона
Тафеля
Спектроскопия
Спирали роста
— — испарения
— химического травления
Страты роста
Структура кристалла
— — типа цинковой обманки
Ступени растворения
— роста

Твердость по Виккерсу
— — Моосу
Теорема Гиббса—Вульфа
Теория Бартона— Кабреры— Франка
Близнакова
Бома— Клебера
Вермили
— диффузионная
Кабреры S
Клевера
— образования ямки травления
— растворения
— топохимической адсорбции
— травления
Шаарвехтера Г
Теплота растворения
— реакции
— — десорбции комплекса
Террасирование ямок травления
Ток наведенный
— растворения
Травители окислительно-восстановительные
— дислокационные
— селективные
— — для полупроводников
Травление гидротермическое
— в расплавах
— ионной бомбардировкой
— с остановкой
— термическое
— химическое
— электролитическое

Уравнение Аррениуса
Борна
Гиббса— Томсона
Ле Шателье
Условие Гиббса
Устойчивость комплексов
— термодинамическая

Фактор энтропии поверхности Джексона α
Форма равновесная
— роста
Формула Стирлинга
Стокса Ф
отолюминесценция

Хлорокомплексы

Цепи периодической связи (РВС)

Частица гидратированная
исло Aвогадро
Левиса
Прандтля
Рейнольдса
Шервуда
Шмидта

Шероховатость поверхности

Электролюминесценция
Энергия адсорбции
— активации
— — растворения
— — травления и полирования
— дислокации
— — зарождения гетерогенного
— — гомогенного
— образования комплекса
— свободная
— — Гиббса
— — зарождения
— — поверхностная
— — раздела фаз
— — ступени
— связи
— поверхностная
— упругих напряжений

Ямки испарения
— травления,
— — глубокие
— — дислокационные
— — звездообразные
— — кристаллографические
— — круглые
— — на кластерах вакансий и примесей
— — — парных сколах
— — размер
— — спиральные
— — террасчатые
— —, условие устойчивости
— — S-типа— ядра дислокации
Эффект краевой

Назад, на страницу описания