ОГЛАВЛЕНИЕ

От редактора перевода
Предисловие

Глава 1. Технология изготовления интегральных схем
1.1. Основные операции в технологии изготовления кремниевых приборов
1.2. Подготовка кремниевых пластин
1.3. Диффузия
1.4. Окисление
1.5. Фотолитография
1.6. Химическое осаждение из газовой фазы
1.7. Нанесение металлизации
Задачи
Литература

Глава 2. Интегральные схемы
2.1. Характеристики pn-перехода
2.2. Эпитаксиальная структура
2.3. Технологический цикл изготовления планарного эпитаксиального диода
2.4. Планарный эпитаксиальный транзистор
2.5. Разделение пластин на кристаллы и присоединение кристалла к основанию
2.6. Технологический цикл изготовления полевого транзистора с pn-переходом
2.7. Технологический цикл изготовления МОП-транзистора
2.8. Изоляция элементов ИС
2.9. Топология транзистора и его площадь
2.10. рпр-транзисторы
2.11. Полевые транзисторы с pn-переходом в интегральных схемах
2.12. МОП-транзисторы для ИС
2.13. Комплементарные МОП-транзисторы
2.14. Диоды в интегральных схемах
2.15. Резисторы в интегральных схемах
2.16. Конденсаторы в интегральных схемах
2.17. Индуктивности в ИС
2.18. Перемычки в ИС
2.19. Методы создания диэлектрической изоляции
2.20. Изопланарная технология и другие технологические варианты
2.21. Контактные площадки и поле кристалла
2.22. Размер кристалла и уровень сложности ИС
2.23. Проблема отвода тепла
Задачи
Литература

Глава 3. Источники постоянного тока, напряжения и опорного напряжения
3.1. Источники постоянного тока
3.2. Источники напряжения
3.3. Источники опорного напряжения, не зависящие от изменения температуры
Задачи
Литература

Глава 4. Дифференциальные усилители
4.1. Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах
4.2. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах
4.3. Активная нагрузка
4.4. Дифференциальный усилитель на составных транзисторах.
4.5. Дифференциальный усилитель с диапазоном входного напряжения, содержащим нулевой потенциал
4.6. Ось симметрии
Задачи
Литература

Глава 5. Характеристики и применение ОУ
5.1. Интегральные схемы
5.2. Введение в теорию операционных усилителей
5.3. Анализ схем на основе ОУ с обратной связью с помощью уравнений узловых потенциалов
5.4. Погрешность и стабильность коэффициента усиления
5.5. Частотная характеристика
5.6. Переходная характеристика
5.7. Напряжение смещения
5.8. Входной ток смещения
5.9. Коэффициент усиления синфазного сигнала
5.10. Входное сопротивление
5.11. Выходное сопротивление
5.12. Рассеиваемая мощность и ограничение по току
5.13. Влияние обратной связи на искажения
5.14. Коэффициент ослабления нестабильности источника питания
5.15. Шумы1
5.16. Термины и определения
5.17. Сравнительный анализ характеристик реального и идеального операционного усилителя
5.18. Устойчивость ОУ
5.19. Применение ОУ
5.20. Активные фильтры
5.21. Фильтры с переключаемыми конденсаторами
Задачи
Литература

Глаза 6. Проектирование схем ОУ
6.1. Анализ схем ОУ
6.2. Примеры расчета схем ОУ
6.3. ОУ на полевых транзисторах
6.4. ОУ Нортона
6.5. Одиночные, сдвоенные и счетверенные ОУ
6.6. ОУ с улучшенными рабочими характеристиками
6.7. Буферы с единичным усилением
Задачи
Литература

Глава 7. Компараторы напряжения
7.1. Характеристики компаратора
7.2. Компараторы с положительной обратной связью
7.3. Схемотехника компаратора
7.4. Время рассасывания объемного заряда транзистора
7.5. Методы повышения быстродействия
7.6. Коэффициент усиления КМОП-инвертора
7.7. КМОП — компаратор напряжения
Задачи
Литература

Глава 8. Интегральные схемы специального назначения
8.1. Стабилизаторы напряжения
8.2. Интегральные усилители мощности
8.3. Видеоусилители
8.4. Цифро-аналоговые преобразователи
8.5. Аналого-цифровые преобразователи
8.6. Балансный модулятор/демодулятор
8.7. Генератор, управляемый напряжением
8.8. Фазовая автоподстройка частоты
8.9. Умножители, делители и функциональные генераторы
8.10. Температурные датчики на основе ИС
8.11. Интегральные датчики магнитного поля
8.12. ИС-датчики давления
8.13. Аналоговые ключи
8.14. Схема выборки и хранения
8.15. Приборы с переносом заряда
8.16. Оптоэлектронные ИС
8.17. Другие типы ИС специального назначения
Литература

Приложения
A. Физические постоянные, коэффициенты преобразования, параметры
Б. Проводимости транзистора
B. Малосигнальные эквивалентные схемы транзистора

Предметный указатель

Назад, на страницу описания