ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ИЗДАНИЮ

Измерения в полупроводниковой электронике являются наиболее распространенным способом получения количественной информации о качестве интегральных микросхем, полупроводниковых и оптоэлектронных приборов. Поэтому в электронной промышленности измерения составляют свыше 50 % трудозатрат на изготовление продукции. Объем измерений в ходе производства изделий электроники резко возрастает по мере увеличения степени интеграции микросхем и повышения требований к их качеству. Кроме того, измерения в полупроводниковой электронике связаны с определением количественных значений чрезвычайно малых токов, напряжений, сопротивлений, емкостей, индуктивностей и других физических величин. Например, при контроле качества интегральных микросхем со сверхболь­шой степенью интеграции необходимо измерять очень ма­лые интервалы времени (на фронтах импульсов до 10— 30 нc), значения тока (до 10-14 А) и напряжения (до 10-6 В). Из-за массового характера производства изделий полупроводниковой электроники необходимо обеспечить высокую степень автоматизации измерительных процедур. Методы и средства измерений в электронике отличаются большой спецификой; ее надо знать и учитывать при планировании и проведении работ по контролю качества изделий.

В списке дополнительной литературы приведены работы советских авторов по рассматриваемой тематике. Данная книга отличается от имеющихся отечественных изданий систематичностью подхода к проблеме измерений и испытаний полупроводниковых приборов и микросхем, содержит описание новых методов контроля изделий полупроводниковой электроники. В частности, в начале книги анализируются полупроводниковые интегральные микросхемы и полу­проводниковые приборы как объекты измерений: определяются параметры, подлежащие измерению в процессе испытаний или выходного контроля; раскрывается физическая сущность этих параметров, приводятся их определения; описываются методы измерения параметров изделии полупроводниковой электроники и средства измерений, необходимые для этого. Затем излагаются вопросы измерения аналоговых и цифровых интегральных микросхем, мощных полупроводниковых приборов, изделий оптоэлектроники. Значительное внимание уделяется повышению производительности работ по испытаниям и контролю качества изделий полупроводниковой электроники, описанию автоматических контрольных устройств и автоматических измерительных станций. Особый интерес представляют методы и средства контроля микросхем с большой и сверхбольшой степенью интеграции, основанные на измерении разности потенциалов с использованием электронно-лучевых зондов. Книга удачно написана с методической точки зрения, ис­пользовано большое число схем, рисунков, фотографий и графиков, иллюстрирующих измерительные процессы. Математический аппарат не сложен и применяется в той степени, которая достаточна для понимания материала широким кругом читателей. Книга будет полезна не только специалистам в области электроники, но и тем, кто на практике имеет дело с проверкой годности изделий полупроводниковой электроники. Ее можно рекомендовать студентам техникумов и высших учебных заведений, инженерам и техникам по электронике.

Е. И. Сычев

Назад на страницу описания