ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие
Введение

Раздел первый. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Глава 1. Физические основы полупроводниковых приборов
1.1. Энергетические зоны и свободные носители заряда в твердых телах
1.2. Равновесная концентрация свободных носителей
1.3. Дрейфовое и диффузионное движение
1.4. Подвижность и коэффициент диффузии
1.5. Электропроводность полупроводников
1.6. Неравновесные носители
1.7. Уравнение непрерывности
1.8. Поверхностные явления
1.9. Эффект поля
Глава 2. Контактные явления
2.1. Электрические переходы
2.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
2.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
2.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного перехода
2.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
2.6. Емкость р-n-перехода
2.7. Переходные процессы в р-n-переходе
2.8. Контакт металл — полупроводник
2.9. Структура металл — диэлектрик — полупроводник
2.10. Гетеропереходы
Глава 3. Полупроводниковые диоды
3.1. Общие сведения
3.2. Выпрямительные низкочастотные диоды
3.3. Выпрямительные высокочастотные диоды
3.4. Импульсные диоды
3.5. Стабилитроны
3.6. Варикапы
3.7. Туннельные и обращенные диоды
3.8. Математические модели диодов
Глава 4. Биполярные транзисторы
4.1. Устройство и принцип действия
4.2. Структура транзистора
4.3. Токи и распределения носителей в транзисторе. Режимы работы
4.4. Коэффициенты передачи тока
4.5. Физические параметры
4.6. Статические характеристики
4.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
4.8. Транзистор как усилитель малого сигнала
4.9. Моделирование транзистора
4.10. Работа транзистора на высоких частотах
4.11. Работа транзистора в импульсном режиме
4.12. Разновидности транзисторов и их параметры
4.13. Особенности физической структуры и конструкции транзисторов различного назначения
Глава 5. Полевые транзисторы
5.1. Общие сведения
5.2. Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Устройство и принцип действия
5.3. Статические характеристики МДП-транзисторов. Режимы работы
5.4. Параметры МДП-транзистора
5.5. Моделирование МДП-транзистора
5.6. МДП-транзистор как линейный четырехполюсник
5.7. Работа МДП-транзистора на высоких частотах и в импульсном режиме
5.8. Транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и р-n-переходом
Глава 6. Тиристоры
6.1. Общие сведения. Устройство. Режимы работы
6.2. Основные физические процессы. Принцип действия
6.3. Переходные процессы и импульсные свойства тиристоров
6.4. Разновидности тиристоров. Параметры и модели тиристоров
Глава 7. Фотоэлектрические и излучающие полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные пары
7.1. Общие сведения
7.2. Фотопроводимость полупроводников
7.3. Фотоэлектрические эффекты в электрическом переходе
7.4. Солнечные преобразователи
7.5. Фотодиоды
7.6. Фототранзисторы и фототиристоры
7.7. Фоторезисторы
7.8. Светодиоды
7.9. Оптоэлектронные пары

Раздел второй. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ И ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ПРИБОРЫ
Глава 8. Физические основы эмиссионной электроники и двухэлектродные лампы
8.1. Общие сведения
8.2. Основы эмиссионной электроники
8.3. Физические процессы в двухэлектродной лампе (диоде)
8.4. Анодные характеристики диодов
8.5. Параметры диодов
Глава 9. Трехэлектродные лампы
9.1. Физические процессы в трехэлектродной лампе (триоде)
9.2. Статические характеристики триода
9.3. Дифференциальные параметры
9.4. Работа триода с нагрузкой в анодной цепи
9 5. Назначение и разновидности двух- и трехэлектродных ламп
Глава 10. Многоэлектродные лампы
10.1. Недостатки триода. Особенности тетрода
10.2. Лучевой тетрод
10 3. Пентод
10.4. Параметры многоэлектродных ламп
10.5. Современные многоэлектродные лампы
10.6. Мощные генераторные и модуляторные лампы
10.7. Эквивалентные схемы электронных ламп
Глава 11. Электронно-лучевые приборы
11.1. Классификация, устройство и принцип действия электронно-лучевых приборов
11.2. Электронный прожектор. Электростатические фокусирующие системы
11.3. Электронный прожектор с магнитной фокусировкой
11.4. Отклоняющие системы
11.5. Экраны электронно-лучевых трубок
11.6. Особенности электронно-лучевых приборов различного назначения
Глава 12. Газоразрядные приборы и индикаторы
12.1. Общие сведения
12.2. Элементарные процессы в газовых разрядах
12.3. Приборы тлеющего разряда
12.4. Приборы дугового разряда
12.5. Электровакуумные и электролюминесцентные индикаторы
12.6. Пассивные индикаторы
12.7. Сравнение индикаторов различного типа
Глава 13. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
13.1. Фотоэлементы. Устройство. Принцип работы
13.2. Параметры и характеристики фотоэлементов
13.3. Фотоэлектронные умножители. Устройство. Принцип работы
13.4. Параметры и характеристики фотоэлектронных умножителей

Раздел третий. ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Глава 14. Шумы электронных приборов
14.1. Общие сведения
14.2. Источники шумов в электронных приборах
14.3. Методы оценки шумов приборов8
14.4. Шумы полупроводниковых диодов
14.5. Шумы биполярных транзисторов
14.6. Шумы полевых транзисторов
14.7. Шумы фотоэлектрических и электровакуумных приборов
Глава 15. Эксплуатационные условия работы. Режимы и надежность электронных приборов
15.1. Эксплуатационные условия, параметры и режимы электронных приборов
15.2. Радиационная стойкость электронных приборов
15.3. Надежность электронных приборов

Приложения
Список литературы
Алфавитный указатель

Назад, на страницу описания